IPD80N06S3-09
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPD80N06S3-09 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 55µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3-11 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 40A, 10V |
Verlustleistung (max) | 107W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6100 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPD80N |
IPD80N06S3-09 Einzelheiten PDF [English] | IPD80N06S3-09 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
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2023/12/20
![]() IPD80N06S3-09Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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